Собственные материалы, источники всегда указаны

В результате взрыва на заводе полупроводников компании Intel в Кирьят-Гате в Израиле пострадали трое рабочих

В результате производственного пожара, предположительно вызванного взрывом баллона с трифторидом азота на заводе Fab 38 компании Intel в Кирьят-Гате, пострадали трое рабочих; на место происшествия прибыли восемь подразделений ликвидации аварий с опасными веществами.

The Global Wire Newsroom ·

Link preview · horizonglobalnews.com

В результате взрыва на заводе полупроводников компании Intel в Кирьят-Гате в Израиле пострадали трое рабочих

В результате производственного пожара, предположительно вызванного взрывом баллона с трифторидом азота на заводе Fab 38 компании Intel в Кирьят-Гате, пострадали трое рабочих; на место происшествия прибыли восемь подразделений ликвидации аварий с опасными веществами.

Share

Эта статья переведена автоматически нашим редакционным ИИ с английского оригинала. Читать на английском

В результате взрыва на заводе полупроводников компании Intel в Кирьят-Гате в Израиле пострадали трое рабочих

14 октября 2026 года на предприятии по производству полупроводников Fab 38 компании Intel Corporation в израильском городе Кирьят-Гат произошли промышленный взрыв и последующий пожар, в результате чего трое рабочих были госпитализированы, сообщает журналист Рохаил Салим (Rohail Saleem). Экстренные службы направили восемь специализированных спасательных подразделений, включая группы по работе с опасными веществами, для локализации инцидента и устранения химических рисков на территории высокотехнологичного комплекса. Следователи предполагают, что возгорание произошло из-за баллона с трифторидом азота — соединением, широко используемым в производстве микроэлектроники. Сообщается, что один из пострадавших рабочих находится в критическом состоянии, двое других получили тяжелые травмы.

## Основные факты - 14 октября 2026 года в комплексе Fab 38 компании Intel в Кирьят-Гате (Израиль) произошли взрыв и пожар. - Трое рабочих были госпитализированы с тяжелыми травмами, состояние одного из них оценивается как критическое. - Экстренные службы задействовали восемь спасательных подразделений, в том числе специализированные бригады по ликвидации аварий с опасными веществами, для обеспечения безопасности объекта. - Предварительные данные указывают на то, что источником взрыва стал газовый баллон с трифторидом азота. - Предприятие Fab 38 является частью крупного кластера Intel по производству полупроводников на юге Израиля.

## Что произошло 14 октября 2026 года производственная авария привела к взрыву и пожару на объекте Intel Fab 38 в Кирьят-Гате, согласно сообщению Рохаила Салима. Инцидент произошел в зоне, где размещено специализированное оборудование для хранения и распределения газов.

Получив вызовы о пожаре и угрозе химического заражения на промышленном объекте, экстренные службы направили на территорию комплекса восемь аварийно-спасательных бригад. Поскольку на передовых полупроводниковых производствах используются промышленные газы высокой чистоты, в состав первой группы реагирования были включены подразделения по работе с опасными веществами (hazmat) для предотвращения возможных утечек токсичных или реактивноспособных газов.

Трое рабочих, находившихся в непосредственной близости от эпицентра взрыва, получили тяжелые травмы. Бригады скорой помощи стабилизировали состояние пострадавших на месте, после чего доставили их в региональные больницы. Один рабочий госпитализирован в критическом состоянии, двое других проходят лечение от серьезных телесных повреждений. Аварийные бригады оцепили опасную зону внутри предприятия, чтобы перекрыть поврежденные газовые магистрали, ликвидировать пожар и не допустить вторичных химических реакций. Первичный осмотр места происшествия специалистами экстренных служб показал, что вероятной причиной воспламенения и разрушения конструкций стал баллон со сжатым трифторидом азота.

## Почему это важно Заводы по производству полупроводников входят в число самых сложных и капиталоемких промышленных объектов в мире. Предприятия по выпуску высокопроизводительной логики работают в непрерывном режиме, опираясь на сложные системы подачи химических паров, сверхчистую воду и опасные технологические газы. Любая аварийная ситуация, связанная с разгерметизацией газовых систем на крупном объекте, таком как Fab 38, влечет за собой серьезные операционные, финансовые последствия и риски для безопасности.

С точки зрения охраны труда, обращение со специальными газами под давлением является одним из наиболее строго регулируемых аспектов полупроводникового производства. Трифторид азота — это неорганическое соединение, интенсивно используемое для очистки камер химического осаждения из газовой фазы. Хотя в стандартных атмосферных условиях он не является горючим, трифторид азота выступает в роли сильного окислителя. При термическом воздействии, механическом повреждении или высоком давлении окислители могут резко ускорить горение или привести к разрушительному разрыву баллона. Подобная авария подчеркивает неотъемлемые риски, связанные с использованием реактивноспособных газов под экстремальным давлением на промышленных предприятиях.

С операционной точки зрения, чистые помещения крайне чувствительны к загрязнению частицами, дыму и утечкам химикатов. Даже локальный пожар или сбой давления могут привести к автоматической остановке целых производственных секций. Внезапное отключение электроэнергии или загрязнение окружающей среды в чистой зоне может испортить хрупкие кремниевые пластины, находящиеся на многонедельных циклах производства. Кроме того, восстановление чистого помещения до международных стандартов чистоты воздуха требует масштабной дезактивации, повторной сертификации и рекалибровки оборудования для литографии и травления, что может вызывать задержки производства на несколько недель. Учитывая ключевую роль завода в Кирьят-Гате в глобальной производственной сети Intel, любые длительные сбои могут повлиять на графики выпуска передовых процессорных архитектур.

## Контекст Присутствие Intel в Израиле началось в 1974 году, когда компания открыла свой первый международный центр разработки в Хайфе. За последующие пять десятилетий Intel расширила свою деятельность, создав сеть центров разработки и производства, охватывающую Хайфу, Петах-Тикву, Иерусалим и Кирьят-Гат. Площадка в Кирьят-Гате, расположенная на юге Израиля, стала ключевым элементом региональных мощностей Intel по производству кремниевых пластин.

На территории промышленного комплекса в Кирьят-Гате исторически располагались заводы Fab 18 и Fab 28, выпускающие несколько поколений логических микросхем с использованием передовых транзисторных архитектур. Для поддержания конкурентоспособности по сравнению с мировыми контрактными производителями Intel начала в Кирьят-Гате масштабный проект расширения стоимостью в несколько миллиардов долларов, получивший название Fab 38. Проект Fab 38, реализуемый при финансовой поддержке и субсидиях правительства Израиля, был призван увеличить мощности Intel по литографии глубокого ультрафиолета (EUV) для производства компьютерных процессоров следующего поколения.

Производство микросхем зависит от десятков специальных химических газов, используемых для изменения свойств кремния и формирования микроскопической структуры элементов. Трифторид азота играет ключевую роль в этом процессе. В ходе химического осаждения из газовой фазы на кремниевые пластины внутри вакуумных камер наносятся слои кремния, диоксида кремния или нитрида кремния. Со временем на стенках камер накапливается нежелательный осадок. Вместо разборки вакуумной камеры специалисты подают газ трифторид азота, который разлагается плазмой на активные радикалы фтора. Эти радикалы вступают в реакцию с отложениями на стенках, образуя летучие соединения, которые затем безопасно удаляются через скрубберы.

Поскольку трифторид азота хранится под высоким давлением в металлических баллонах или централизованных системах подачи, предприятия должны строго соблюдать стандарты снижения рисков. Газовые шкафы, оснащенные датчиками непрерывного контроля утечек, автоматическими клапанами аварийного отключения, трубопроводами с двойными стенками и выделенными системами вытяжки, являются стандартом для современных заводов по производству полупроводников. Несмотря на эти меры предосторожности, механические дефекты, износ клапанов, ненадлежащее обслуживание или загрязнение внутри инфраструктуры распределения газов высокого давления могут привести к внезапному падению давления или взрывному высвобождению энергии.

## Реакция После инцидента местные экстренные службы и подразделения по работе с опасными веществами совместно со службой безопасности Intel изолировали поврежденный сектор и обеспечили безопасность прилегающих территорий.

Ожидается, что контролирующие органы в сфере промышленной безопасности, включая Управление по охране труда и технике безопасности Министерства труда Израиля и региональные природоохранные ведомства, начнут официальное расследование происшествия. Следователи изучат обломки баллона с трифторидом азота, проверят записи о техническом обслуживании системы подачи газа, оценят логи датчиков безопасности и проверят, соблюдались ли установленные протоколы работы с опасными веществами.

Руководство Intel и представители местной службы охраны труда намерены координировать действия с органами здравоохранения для контроля за восстановлением трех пострадавших рабочих. В соответствии со стандартными корпоративными процедурами управления рисками, ожидается, что Intel также начнет внутреннюю инженерную проверку, чтобы определить необходимость системных изменений в инфраструктуре хранения газов или процедурах работы с поставщиками по всей своей глобальной сети производственных объектов.

## Что пока неизвестно Некоторые ключевые детали инцидента в Кирьят-Гате остаются неподтвержденными в имеющихся отчетах. Точная механическая или химическая причина, вызвавшая взрыв баллона с трифторидом азота, пока не установлена. В настоящее время неизвестно, произошла ли авария во время плановой замены баллона, его транспортировки, технического обслуживания или стандартной автоматической подачи газа.

Кроме того, в сообщениях не раскрываются полные масштабы повреждений конструкций Fab 38. Остается неясным, был ли пожар локализован на внешней площадке хранения газов, в промежуточном помещении распределения газа или проник в основные чистые производственные зоны. Степень воздействия дыма или химических остатков на действующее оборудование для производства кремниевых пластин или литографические установки не разглашается.

Помимо этого, в публичных отчетах не подтверждаются личности и точный трудовой статус трех пострадавших — в частности, являются ли они штатными сотрудниками Intel или привлеченными специалистами подрядных организаций. Наконец, неизвестно, проводилась ли временная предупредительная эвакуация или остановка работ на соседних объектах комплекса в Кирьят-Гате, таких как Fab 28.

## За чем следить В ближайшие дни и недели несколько ключевых событий помогут оценить масштабы последствий взрыва на Fab 38: - **Результаты расследования:** официальные отчеты Министерства труда Израиля и местной пожарной службы, уточняющие, стал ли взрыв результатом дефекта материала, избыточного давления, человеческого фактора или неисправности вспомогательных компонентов. - **Данные о состоянии здоровья рабочих:** официальные заявления медицинских учреждений о ходе лечения трех госпитализированных рабочих, особенно сотрудника, поступившего в критическом состоянии. - **Заявления Intel о последствиях:** оперативные отчеты Intel Corporation с оценкой возможных задержек в строительстве Fab 38, подключении оборудования или графиках коммерческого выпуска кремниевых пластин. - **Экологические проверки:** результаты проверок, подтверждающие, привела ли утечка газа к локальному загрязнению окружающей среды и требуется ли глубокая очистка чистых помещений. - **Отраслевые протоколы безопасности:** возможные бюллетени по безопасности или обновленные руководства по хранению, выпущенные ассоциациями полупроводниковой промышленности и поставщиками специальных газов, касающиеся работы с трифторидом азота под высоким давлением.

Этот материал основан на оригинальном новостном сообщении Рохаила Салима (Rohail Saleem).

Источник: Rohail Saleem

Похожие материалы